發(fā)布時間:2022-03-20
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在晶體的兩側(cè)施加電壓時,晶片就會產(chǎn)生機械振動。在某種頻率下,振動的幅度會變大,這叫做壓電諧振。
電阻(簡稱R)在電路中限制所在支路的電流大小的元件。晶振的電阻越小越好,如果過大,容易不起振,增加能耗。對晶振來講,頻率越高,晶片越薄,電阻就小。相反,頻率低,晶片厚,電阻大。
阻抗(簡稱Z)對電路中電流其阻礙作用。實數(shù)部分為電阻R,虛數(shù)j部分為電抗。電容在電路中對交流電起阻礙作用叫做容抗1/wC;電感起阻礙作用叫做感抗wL。電容和電感總稱為電抗。



晶體阻抗的斜率表示隨著頻率的增加,在特定的頻率下,串聯(lián)電容C和電感L之間的作用產(chǎn)生串聯(lián)諧振電路,將晶體的阻抗降低到最小并等于R并得到串聯(lián)諧振頻率fs。當(dāng)頻率增加到串聯(lián)諧振點上時,晶體相當(dāng)于電感,直到頻率達到并聯(lián)諧振頻率fp時,晶體兩端的阻抗達到最大值。在fs和fp之間,當(dāng)兩個并聯(lián)電容抵消時,晶體呈現(xiàn)電感性。小于fs或者大于fp時,晶體呈現(xiàn)電容性。
假設(shè)Rs = 6.4Ω, Cs = 0.09972pF, Ls = 2.546mH,Cp = 28.68pF, 計算晶體fs和fp:

可見fs和fp很相近,差值約為18khz。在這個狹小的頻率范圍內(nèi),晶體為感性,需要在KOAN晶振外部并聯(lián)合適的電容,就可以組成并聯(lián)諧振電路。這個合適的電容就是負載電容。