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R1越小，Q值越高。換句話說(shuō)，Q值高的晶體，在每一個(gè)振蕩周期中損失的能量更少。

在工程層面，高Q值表示：

- 振蕩頻率更穩(wěn)定；

- 對(duì)溫度、電源和外界擾動(dòng)更不敏感；

- 長(zhǎng)期老化速率更低。

為了驗(yàn)證上述關(guān)于Q值與能量損耗之間關(guān)系的分析，我們對(duì)實(shí)際量產(chǎn)晶體進(jìn)行了測(cè)試。以KOAN無(wú)源晶體KX32(3.2×2.5mm封裝)、8MHz為例，在相同測(cè)試條件下對(duì)10顆樣品進(jìn)行測(cè)量，其實(shí)測(cè)品質(zhì)因數(shù)Q值主要分布在44k至55k的區(qū)間。與此同時(shí)，對(duì)應(yīng)的諧振電阻RR維持在數(shù)百歐姆量級(jí)，表明該晶體在小型化封裝條件下仍具備較低的等效損耗。該結(jié)果也從實(shí)測(cè)角度印證了：較低的諧振電阻是獲得高Q值的重要前提。