電容在晶振電路中的作用
發(fā)表于 2024-02-23 03:30通過合適選擇電容值，可以調(diào)整晶振的振蕩頻率，并確保在不同溫度和電源條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。負(fù)載電容CL是連接在晶振的輸出端的電容，它影響晶振的諧振頻率。通過調(diào)整負(fù)載電容的大小，可以微調(diào)振蕩頻率，確保電路工作在設(shè)計(jì)頻率上。雜散電容Cstray值一般為4~6pF。雜散電容可能對(duì)無源晶振的輸出頻率精度及穩(wěn)定性造成不確定性影響。一般情況下，雜散電容會(huì)因電路板的復(fù)雜程度、布線設(shè)計(jì)的不合理性而增加。
在并聯(lián)型振蕩器電路中，晶體X1兩端的引腳和單片機(jī)內(nèi)部的反相器相連，再匹配電容C1和C2，以及電路Rf和Rd組成皮爾斯振蕩器。C1,C2的作用是讓晶振諧振并穩(wěn)定輸出，盡可能達(dá)到標(biāo)稱頻率的頻率信號(hào)，同時(shí)可以過濾一部分高頻干擾雜波。
發(fā)表于 2024-02-23 03:31 |
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電路匹配電容要合適(滿足振蕩的相位條件)：電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量，目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)。
措施1：調(diào)整外部負(fù)載電容。增加外部負(fù)載電容以減小實(shí)際的振蕩頻率，反之增加。如果增加外部負(fù)載電容，振蕩裕量和振蕩幅度會(huì)減小。 措施 2：更換合適的負(fù)載容量晶體。
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